在一个可能改变全球半导体格局的重要进展中,中国的中芯国际(SMIC)据称成功制造出5nm芯片,且无需依赖极紫外光刻(EUV)技术。
中芯国际并未使用由荷兰公司阿斯麦(ASML)独家生产、且受到西方出口管制严格限制的EUV设备,而是采用了较旧的深紫外光刻(DUV)设备,并结合了一种复杂的技术,称为自对准四重图形化(SAQP)。这一复杂工艺能够实现通常只有通过EUV才能达到的超精细图形化。
这一消息由半导体分析师William Huo在X平台(原Twitter)上分享,标志着一个技术与地缘政治上的里程碑。多年来,人们普遍认为,没有EUV系统,7nm以下制程节点的进展几乎不可能。然而,中芯国际通过多层DUV图形化和蚀刻工艺,成功复制了先进芯片所需的精度,打破了这一传统认知。
虽然这种方法相比EUV更加耗时、昂贵且容易出错,但最终结果是成功的:一款符合5nm级别的芯片。据报道,这款芯片已被用于如华为Mate 60搭载的麒麟9000S等设备中这款手机还在卫星通话功能上领先于苹果iPhone 15。
这一突破不仅体现了在全球限制之下中国提升半导体能力的决心,也为压力下创新树立了新的范例。
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