1.外延epitaxy是在单晶硅片生长其他物质，比如GaS，GaN；
2. P和N是在单晶硅片掺杂
答案：两个不同的概念（工艺）
胡雪盐8 (2023-08-31 12:50:31) 评论 (0)1.外延epitaxy是在单晶硅片生长其他物质，比如GaS，GaN；
2. P和N是在单晶硅片掺杂
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答案：两个不同的概念（工艺）
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