▲为求能在晶片制程领先台积电，英特尔决定不再重蹈7年前的覆辙。
英特尔在美国加州圣荷西举行的会议上宣布，其购买的首批高数值孔径极紫外光（High-NA EUV）曝光机已正式投入生产，预估可生产超过3万片晶圆，展现稳定产能。该技术可大幅提高制造效率，并缩小制程节点，是英特尔重夺制程领先地位的重要策略，凸显其不再重蹈7年前错误的决心。
根据外媒《PhoneArena》，英特尔过去因延迟导入EUV技术，导致遭到台积电与三星超前。如今，英特尔积极采购High-NA EUV，显示其决心不再犯7年前的错误。
英特尔资深首席工程师史蒂夫•卡森（Steve Carson）表示，High-NA EUV设备的可靠性是传统EUV设备的两倍，且相较于旧技术，能以更少的曝光次数完成制程，大幅降低时间与成本。该技术将应用于生产采用英特尔18A制程节点、首批产品为代号Panther Lake的晶片，专供笔记型电脑使用。
史蒂夫•卡森透露，未来也计画将运用该设备生产14A节点晶片，强化英特尔在晶圆代工市场的竞争力。
回顾过去，英特尔曾因花费7年时间才导入标准EUV技术，错失市场先机。其10奈米制程也因依赖旧式设备而受阻，遭到台积电与三星趁势超越。如今，英特尔积极部署High-NA EUV，确保不再落后于竞争对手。
目前，英特尔计划于2025年下半年量产18A制程，与台积电及三星的2奈米制程同步。不过，英特尔将成为首家采用背面供电技术（Power Via）的厂商，在短期内拥有技术优势。业界关注，在这场晶片制程竞赛中，英特尔是否能否凭藉High-NA EUV技术扳回一城，缩小与台积电、三星的差距。
